試題1

高速緩存Cache 與主存間采用全相聯(lián)地址映像方式，高速緩存的容量為4MB，分為4 塊，每塊1MB，主存容量為256MB。 若主存讀寫時(shí)間為30ns，高速緩存的讀寫時(shí)間為3ns，平均讀寫時(shí)間為3.27ns，則該高速緩存的命中率為（1）%。若地址變換表如下所示，則主存地址為8888888H時(shí)，高速緩存地址為（2）H。

（1）A、90
B、95
C、97
D、99
（2）A、488888
B、388888
C、288888
D、188888

查看答案

試題2

查看答案

試題3

與多模光纖相比較，單模光纖具有（ ）等特點(diǎn)。
A、較高的傳輸率、較長(zhǎng)的傳輸距離、較高的成本
B、較低的傳輸率、較短的傳輸距離、較高的成本
C、較高的傳輸率、較短的傳輸距離、較低的成本
D、較低的傳輸率、較長(zhǎng)的傳輸距離、較低的成本

查看答案

試題4

設(shè)有二叉排序樹（或二叉查找樹）如下圖所示，建立該二叉樹的關(guān)鍵碼序列不可能是（ ）。



A．23 31 17 19 11 27 13 90 61
B．23 17 19 31 27 90 61 11 13
C．23 17 27 19 31 13 11 90 61
D．23 31 90 61 27 17 19 11 13

查看答案

試題5

硬磁盤存儲(chǔ)器的道存儲(chǔ)密度是指（1），而不同磁道上的位密度是（2）。
（1）A、沿同磁道每毫米記錄的二進(jìn)制位數(shù) 
B、同一柱面上的磁道數(shù) 
C、一個(gè)磁道圓周上所記錄的二進(jìn)制位數(shù) 
D、沿磁盤半徑方向上單位長(zhǎng)度(毫米或英時(shí))上的磁道數(shù)
（2）A、靠近圓心的密度大 
B、靠近外邊沿的密度大 
C、靠近圓心的密度小 
D、靠近半徑中間的密度小 

查看答案

試題6

以下關(guān)于面向?qū)ο笤O(shè)計(jì)的敘述中，錯(cuò)誤的是（ ）
A、高層模塊不應(yīng)該依賴于底層模塊
B、抽象不應(yīng)該依賴于細(xì)節(jié)
C、細(xì)節(jié)可以依賴于抽象
D、高層模塊無(wú)法不依賴于底層模塊

查看答案

試題7

查看答案

試題8

查看答案

試題9

下面關(guān)于在 I/O 設(shè)備與主機(jī)間交換數(shù)據(jù)的敘述，  （ ）  是錯(cuò)誤的。
A、中斷方式下，CPU 需要執(zhí)行程序來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳送任務(wù)
B、中斷方式和 DMA 方式下，CPU 與 I/O 設(shè)備都可同步工作
C、中斷方式和 DMA 方式中，快速 I/O 設(shè)備更適合采用中斷方式傳遞數(shù)據(jù)
D、若同時(shí)接到 DMA 請(qǐng)求和中斷請(qǐng)求，CPU 優(yōu)先響應(yīng) DMA 請(qǐng)求

查看答案

試題10

在數(shù)據(jù)庫(kù)邏輯結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中，將E-R模型轉(zhuǎn)換為關(guān)系模型應(yīng)遵循相關(guān)原則。對(duì)于三個(gè)不同實(shí)體集和它們之間的多對(duì)多聯(lián)系m:n:p，最少可轉(zhuǎn)換為（ ）個(gè)關(guān)系模式。
A、2 
B、3
C、4 
D、5 

查看答案